p型GaN基器件的欧姆接触

• 作者: 丁洁 刘一兵
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: p型氮化镓 欧姆接触 比接触电阻 表面处理 金属电极材料 热退火
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 42-46
• 页数: 5页
• 分类号: O472
• 字数: 4937字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2008.05.013

摘要

宽带隙的GaN具有优良的物理和化学性质,己成为半导体领域研究的热点之一.p型GaN的欧姆接触问题制约了GaN基器件的进一步发展.本文首先介绍了欧姆接触的原理及评价方法,详细讨论了实现良好的p型GaN欧姆接触的主要方法是采取表面处理技术、选择合适的金属电极材料和进行热退火处理,以及研究进展情况.最后指出目前存在的问题并提出今后的研究方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘一兵	湖南大学电气与信息工程学院	22	487	12.0	22.0
5	丁洁	邵阳职业技术学院机电工程系	1	6	1.0	1.0