真空电子技术期刊
出版文献量(篇)
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真空电子技术

Vacuum Electronics

CSTPCD

影响因子 0.1767
本刊1959年创刊,现为双月刊,国内外公开发行。是真空电子专业协会会刊,电真空情报网网刊,中国真空电子技术领域唯一的综合技术类刊物。设有专家论坛、研究报告、研究与设计、新技术、技术交流、工艺与应用、综述等栏目。主要刊登的是真空微波器件、离子器件真空开关器件等真空电子器件;CPT、CDT、PDP等显示器件和光电器件;照明光源;真空获得、测量、控制;气体分析;表面技术;电子材料及特殊工艺等方面的... 更多
主办单位:
北京真空电子技术研究所
期刊荣誉:
编辑质量奖 
ISSN:
1002-8935
CN:
11-2485/TN
出版周期:
双月刊
邮编:
100015
地址:
北京749信箱7分箱
出版文献量(篇)
2372
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7
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8712
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  • 作者: 李彦宾 王刚 魏义学
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  1-6
    摘要: 介绍一种对行波管中使用的微型多级降压收集极进行电、热及动力学优化设计的系统方法,同时期望这样一种方法能够移植到行波管其他部分的设计优化中.优化所得的收集极在全频带上的仿真效率达到,79.5%...
  • 作者: 周碎明
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  7-9,12
    摘要: 介绍了高次模式多注速调管的特点、设计方法及部分研究情况.
  • 作者: 蔡绍伦
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  10-12
    摘要: 根据Rowe理论计算行波管的ID圆盘模型生成的TWTRF2.0程序用来计算谐波注入对基波功率增长及管内谐波抑制的影响.LMSuite程序用来计算谐波注入对交调(IM3)的抑制,两程序的计算结...
  • 作者: 刘义君 李紫琳 杨小萌 杨明华
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  13-15
    摘要: 介绍了两种螺旋线型脉冲行波管,通过抑制返波振荡和提高螺旋线散热能力,在X波段获得了8kW峰值功率和400W平均功率.同时进行了初步的功率合成试验,并取得了较好的结果.
  • 作者: 朱敏 秦春文
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  16-19
    摘要: 运用弗洛奎定理和基于场匹配的模式分析法,推导出折叠波导场方程组的表达式,并据此求得色散曲线,与MWS的运算结果做了比较.
  • 作者: 张晓兵 杨杰 潘志宇 蔡志勇
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  20-23
    摘要: 头部跟踪器是虚拟现实系统中关键传感设备之一,它的任务是检测头部位置与方位.本文介绍了一种新型的基于三轴加速度计的惯性头部跟踪器的设计,给出并分析了部分性能指标的测试结果,对该头部跟踪器的应用...
  • 作者: 戴晶怡 杨中海 金大志
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  24-27
    摘要: 特种高压器件主要由离子源、加速系统、靶子等组成,是一种微型加速器.特种高压器件的离子光学系统对特种高压器件的特性影响很大,因此离子光学系统的计算对于特种高压器件的设计具有重要意义.本文从束流...
  • 作者: 郑杨
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  28-31
    摘要: 如何提取信号中微弱的高频部分,并对信号进行高频特性分析,是信号采集处理中的难题.本文介绍了一种基于AD变换器、USB2.0接口及FPGA的通用高频小信号采集分析系统,可对频率范围为100 k...
  • 作者: 张卫红 王晓芳
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  32-34
    摘要: 对N485封接合金为原料的彩色显像管玻壳阳极帽的进行了湿氢氧化特性研究,采用SEM和EDS技术对不同氧化条件下所生成的合金氧化层组成及其微观形貌进行表征分析,探讨了高频模拟封接炉检验各条件下...
  • 作者: 何锦华 刘凯 梁超 钟海涛
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  35-38
    摘要: 研究了PDP荧光粉浆料有机载体用混合溶剂的挥发特性.通过使用混合溶剂,得到了具有层次挥发性的PDP荧光粉浆料用有机载体,并对烧结后荧光粉亮度影响进行了研究,此载体可以用于配制PDP荧光粉浆料...
  • 作者: 高陇桥
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  39-41
    摘要: 综述了毫米波真空电子器件用金属化技术,着重强调了金属化组分(氢化钛)和烧结工艺对金属化层介电损耗的影响.
  • 作者: 刘亚琴 刘慧卿 蔡安富 黄亦工
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  42-46,59
    摘要: 对于钙铝硅系95%氧化铝瓷的钼锰金属化,本文分析两个配方活化剂中锰、二氧化硅、氧化铝、氧化钙分别所起的作用.通过实验证明,只有合适的活化剂配方,才能得到几乎没有晶相的玻璃相.
  • 作者: 范永民 陈同江
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  47-50
    摘要: 简要介绍了精密数控加工技术和典型精密数控设备,分析了精密数控加工技术在电真空器件中解决的问题、起到的作用及应用前景.
  • 作者: 刘睿 姚拴科
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  51-53
    摘要: 通过分析影响钡钨阴极蒸发的各种因素,结合实际生产中的工艺要求,介绍了一种复合钨海绵体钡钨阴极制造工艺,能够有效降低钡钨阴极蒸发.
  • 作者: 陈正富
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  54-56
    摘要: 从实际出发,以数据为依据,阐述了不同的阴极类型对脉冲同轴磁控管性能的影响,并着重介绍了钪酸盐阴极在毫米波段脉冲同轴磁控管中应用的优越性.
  • 作者: 何跃 陈志会
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  57-59
    摘要: 通过对新材料、新工艺、新结构的摸索应用,实现了不锈钢替代瓷封合金材料.同时采用多元焊料对不电镀不锈钢进行气密性焊接,避免了电镀质量对钎焊气密性的影响,从而实现了不锈钢与陶瓷的非匹配封接,解决...
  • 作者: 张朋
    刊名: 真空电子技术
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  60-62
    摘要:

真空电子技术基本信息

刊名 真空电子技术 主编 廖复疆
曾用名
主办单位 北京真空电子技术研究所  主管单位 工业和信息化部
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1002-8935 CN 11-2485/TN
邮编 100015 电子邮箱 VETECH@163.com
电话 010-84352012 网址
地址 北京749信箱7分箱

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