表面处理对p-GaN欧姆接触的影响

• 作者: 刘志强 师宏伟 梁萌 王国宏 王良臣 范曼宁 郭德博
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 欧姆接触 圆形传输线模型
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1811-1814
• 页数: 4页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 3053字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.11.027

摘要

分别用稀盐酸、王水以及(NH4)2S溶液处理p-GaN表面,通过测试样品表面Ols的X射线光电子能谱(XPS),比较了这些溶液去除p-GaN表面氧化层的能力;在经不同溶液处理后的样品表面,以相同的条件制作Ni/Au电极,并测试其与p-GaN的比接触电阻,结果表明经稀盐酸处理后的样品表面,由于其氧含量较高,不能与Ni/Au形成良好的欧姆接触,而经王水和(NH4)2S溶液处理后的p-GaN表面,能与Ni/Au形成良好的欧姆接触;最后,通过比较样品表面的Ga/N原子浓度比,探讨了王水处理p-GaN表面能够形成良好欧姆接触的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘志强	中国科学院半导体研究所	280	3753	31.0	42.0
2	王国宏	中国科学院半导体研究所	41	1911	17.0	41.0
3	王良臣	中国科学院半导体研究所	31	192	8.0	13.0
4	梁萌	中国科学院半导体研究所	5	64	3.0	5.0
5	范曼宁	中国科学院半导体研究所	4	61	2.0	4.0
6	郭德博	中国科学院半导体研究所	5	66	3.0	5.0
7	师宏伟	河北科技师范学院数学物理系	2	14	2.0	2.0