衬底预处理对p-GaN薄膜上ZnO纳米线阵列生长的影响

• 作者: 朱小龙 涂亚芳 田玉 陈荟荃
• 来源期刊: 江汉大学学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: p-GaN薄膜 ZnO纳米线 氨水 预处理
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 化学分析与材料科学
• 页码范围: 525-529
• 页数: 5页
• 分类号: O646.5|O781
• 字数: 3297字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16389/j.cnki.cn42-1737/n.2015.06.008

摘要

为了获得具有较好紫外光发射特性的ZnO纳米线,以p-GaN薄膜为衬底,采用水热法在较低的温度(105℃)下制备出了ZnO纳米线阵列,其中纳米线的直径在100~300 nm之间.对p-GaN薄膜进行3种不同的预处理,结果表明,将衬底放入氨水中浸泡有利于生长出致密、均匀、定向排列的ZnO纳米线阵列,这与p-GaN薄膜衬底经氨水浸泡后衬底表面的OH-浓度有关,表明纳米线的密度和尺寸与p-GaN薄膜衬底表面的预处理密切相关.另外,该ZnO纳米线阵列具有较好的紫外发射特性,有望在紫外发光二极管领域获得应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱小龙	江汉大学物理与信息工程学院	12	9	2.0	2.0
2	涂亚芳	江汉大学物理与信息工程学院	7	26	3.0	5.0
3	田玉	江汉大学物理与信息工程学院	11	5	1.0	2.0
4	陈荟荃	华中科技大学光电国家实验室	1	0	0.0	0.0