Ni/ITO与p型GaN的欧姆接触

• 作者: 冯玉春 张建宝 朱军山 杨建文 王文欣 胡加辉
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: p型氮化镓 Ni-铟锡氧化物(Ni/ITO) 欧姆接触
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 757-760
• 页数: 5页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 2833字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2005.06.013

摘要

通过环形传输线方法(CTLM),电流-电压(I-V)曲线、光学透过率、表面形貌等手段,研究了Ni层厚度和Ni层的高温退火对Ni/ITO与p型氮化镓接触特性的影响,探讨了Ni/ITO-p-GaN欧姆接触的形成机制,提出了低温氧化Ni金属层的方法.获得接触电阻率(ρc)小于9.5×10-5 Ω·cm2,透过率达到74%(470 nm)的Ni/ITO-p-GaN电极.