Ni/Au与p-GaN的比接触电阻率测量

• 作者: 冯玉春 刘文 卫静婷 施炜 李炳乾 杨建文 杨清斗 王质武
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: p型氮化镓 镍/金 比接触电阻率
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 页码范围: 655-659
• 页数: 5页
• 分类号: TN312.8|O472
• 字数: 2663字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2006.06.013

摘要

通过采用环形传输线方法(CILM),电流-电压(I-V)曲线、表面形貌等方法,研究不同的Ni/Au厚度比和空气气氛下合金退火温度对p型氮化镓欧姆接触特性造成的影响.根据Ni/Au与p型氮化镓欧姆接触的形成机制,采用合适的Ni/Au厚度比及退火温度,得到比接触电阻率(ρc)为1.09×10-5 Ω·cm2的Ni/Au-p-GaN电极,并分析了Ni在退火过程中对形成良好的欧姆接触中所起到的作用.