非故意掺杂GaN上Ti/Al/Ni/Au欧姆接触研究

• 作者: 于奇 李竞春 杜江锋 罗谦 赵波 靳翀
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 氮化镓 Ti/Al/Ni/Au 欧姆接触 比接触电阻
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 4-6
• 页数: 3页
• 分类号: TM23
• 字数: 2457字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.12.002

摘要

基于圆形传输线模型,研究了背景载流子浓度为7×1016cm-3的非故意掺杂GaN与Ti/Al/Ni/Au多层金属之间欧姆接触的形成.样品在N2气氛中,分别经过温度450,550,700,800,900℃的1 min快速热退火处理后发现,当退火温度高于700℃欧姆接触开始形成,随着温度升高欧姆接触电阻持续下降,在900℃时获得了最低比接触电阻6.6×10-6Ω·cm2.研究表明,要获得低的欧姆接触电阻,需要Al与Ti发生充分固相反应,并穿透Ti层到达GaN表面;同时,GaN中N外扩散到金属中,在GaN表面产生N空位起施主作用,可提高界面掺杂浓度,从而有助于电子隧穿界面而形成良好欧姆接触.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵波		2	18	2.0	2.0
2	于奇	电子科技大学微电子与固体电子学院	50	252	8.0	13.0
3	李竞春	电子科技大学微电子与固体电子学院	26	81	5.0	6.0
4	杜江锋	电子科技大学微电子与固体电子学院	18	52	5.0	6.0
5	靳翀	电子科技大学微电子与固体电子学院	9	23	3.0	4.0
6	罗谦	电子科技大学微电子与固体电子学院	19	63	5.0	6.0