Ti与Al比例及退火温度对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触影响

• 作者: 刘俊 刘旭阳 夏晓川 张贺秋 李冰冰 梁红伟 薛东阳
• 来源期刊: 大连理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 欧姆接触 退火 比接触电阻率
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 页码范围: 137-141
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.3
• 字数: 2272字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7511/dllgxb202002004

摘要

利用热蒸发方法制备了Ti/Al金属双层结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)欧姆接触,Ti与Al比例分别为1:2(20 nm/40 nm)、1:5(20 nm/100 nm)和1:8(20 nm/160 nm).采用相同退火时间、不同退火温度对不同的Ti与Al比的AlGaN/GaN HEMT结构进行退火.通过XRD对电极结构进行了分析,利用金相显微镜观察了电极的表面形貌.实验结果显示,相同退火时间条件下,退火温度在800℃,Ti与Al比为1:5的AlGaN/GaN HEMT结构形成了较好的欧姆接触.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏晓川	大连理工大学微电子学院	9	9	2.0	3.0
2	张贺秋	大连理工大学微电子学院	14	41	4.0	6.0
3	刘俊	大连理工大学微电子学院	29	66	5.0	6.0
4	梁红伟	大连理工大学微电子学院	21	81	6.0	8.0
5	刘旭阳	大连理工大学微电子学院	4	0	0.0	0.0
6	李冰冰	大连理工大学微电子学院	2	0	0.0	0.0
7	薛东阳	大连理工大学微电子学院	2	0	0.0	0.0