AlGaN/GaN异质结构的欧姆接触

• 作者: 杨燕 王文博 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN Ti/Al/Ni/Au 欧姆接触 高电子迁移率晶体管
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1823-1827
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.99
• 字数: 3087字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.10.025

摘要

通过改变Ti/Al的结构及退火条件,研究了AlGaN/GaN异质结构上Ti/Al/Ni/Au金属体系所形成的欧姆接触.结果表明,Ti/Al/Ni/Au金属厚度分别为20,120,55和45nm,退火条件为高纯N2气氛中850℃、30s时在AlGaN/GaN异质结构上获得了良好的欧姆接触,其比接触电阻率为3.30×10-6Ω·cm2.SEM分析表明该条件下的欧姆接触具有良好的表面形貌,可以很好地满足高性能AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管制造的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	杨燕	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	18	93	5.0	8.0
3	王文博	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	4	18	2.0	4.0