金属/n型AlGaN欧姆接触

• 作者: 刘杰 周慧梅 周玉刚 张荣 施毅 曹春海 沈波 焦刚 郑有炓 郑泽伟 钱悦 陈堂胜
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Ⅲ族氮化物 欧姆接触 界面固相反应
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 153-156
• 页数: 4页
• 分类号: O485
• 字数: 2060字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.02.008

摘要

用传输线模型对n型AlGaN(n-AlGaN)上Au/Pt/Al/Ti多金属层欧姆接触进行了接触电阻率的测量.在850℃退火5min后,测得欧姆接触电阻率达1.6×10-4Ω·cm2.经X射线衍射分析,Au/Pt/Al/Ti/n-AlGaN界面固相反应得出在500℃以上退火过程中,AlGaN层中N原子向外扩散,在AlGaN表面附近形成n型重掺杂层,导致欧姆接触电阻率下降;随退火温度的升高,N原子外扩散加剧,到800℃以上退火在Au/Pt/Al/Ti/n-AlGaN界面形成Ti2N相,导致欧姆接触电阻率进一步下降.