非故意掺杂n型GaN的负持续光电导现象

• 作者: 刘骥 李向阳 苏志国 许金通 赵德刚 陈俊
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 持续光电导 负光电导 负持续光电导
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 878-882
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3944字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.06.012

摘要

研究了MOCVD方法制备的非故意掺杂n型GaN薄膜的持续光电导现象.实验发现样品的光电导与入射光强有密切的关系,当入射光强由弱到强变化时,样品会依次出现正常持续光电导(PPC)、负光电导(NPC)和负持续光电导(NPPC)现象.据知,这是首次在一个样品中仅仅通过改变入射光强就可以依次产生以上现象的实验报道.通过系统的实验分析和理论研究认为,该现象形成的主要原因是材料中深能级电子陷阱和空穴陷阱共同作用的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李向阳	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	110	438	10.0	14.0
2	陈俊	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	43	745	14.0	27.0
3	苏志国	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	155	1885	23.0	35.0
5	刘骥	山东大学信息科学与工程学院	4	21	3.0	4.0
6	许金通	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	21	40	4.0	5.0