AlGaN基p-i-n光电探测器负响应现象研究

• 作者: 刘福浩 刘飞 张燕 李向阳 王立伟 许金通
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电探测器 负响应 持续光电导
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 页码范围: 386-390
• 页数: 5页
• 分类号: TN312+.4
• 字数: 3058字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1010.2014.00386

摘要

对AlGaN基p-i-n光电探测器的负光电响应特性进行研究,从实验上证实了器件中p型接触电极的肖特基特性是导致该现象的主导因素.不同偏压下的响应光谱表明,这些AlGaN光伏器件中存在较为明显的光导响应特性.光照和暗背景条件下的C-f曲线验证了器件中的持续光电导特性,而高铝组分铝镓氮材料内存在的大量缺陷被认为是该现象的起因.系统地研究了AlGaN基p-i-n光电探测器存在的负响应现象及其微观机理,为铝镓氮基日盲器件光电性能的优化提供了重要参考依据.