GaN基p-i-n和肖特基紫外探测器的响应光谱及暗电流特性

• 作者: 周梅 易淋凯 李春燕 赵德刚 黄佳琳
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 紫外探测器 响应度 暗电流
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1327-1331
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2245字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173810.1327

摘要

研究了p-i-n型和肖特基型GaN基紫外探测器的响应光谱和暗电流特性.实验发现,随着p-GaN层厚度的增加,p-i-n型紫外探测器的响应度下降,并且在短波处下降更加明显.肖特基探测器的响应度明显比p-i-n结构高,主要是由于p-GaN层吸收了大量的入射光所致.肖特基型紫外探测器的暗电流远远大于p-i-n型紫外探测器的暗电流,和模拟结果基本一致,主要是肖特基型探测器是多子器件,而p-i-n型探测器是少子器件.要制备响应度大、暗电流小的高性能GaN紫外探测器,最好采用p-GaN层较薄的p-i-n结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵德刚	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	42	214	9.0	12.0
2	李春燕	中国农业大学理学院应用物理系	20	57	4.0	7.0
3	周梅	中国农业大学理学院应用物理系	22	69	5.0	7.0
4	易淋凯	中国农业大学理学院应用物理系	2	1	1.0	1.0
5	黄佳琳	中国农业大学理学院应用物理系	2	1	1.0	1.0