一种减小GaN基肖特基结构紫外探测器暗电流的方法

• 作者: 周梅 常清英 赵德刚
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 肖特基结构 紫外探测器 暗电流
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2548-2553
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4499字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.04.091

摘要

提出了一种减小GaN肖特基结构紫外探测器暗电流的方法.该方法是在普通的GaN肖特基结构的表面增加一层薄的p-GaN.模拟计算结果表明,该层p-GaN能增加肖特基势垒高度,从而减小了器件的暗电流,提高了器件性能.进一步的计算还发现,对于P型载流子浓度较高的情况下,只需要很薄的一层p-GaN就能显著增加肖特基势垒高度,对于P型载流子浓度较低的情况下,则需要较厚的一层p-GaN才能有较好的肖特基势垒高度增加效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵德刚	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	42	214	9.0	12.0
2	常清英	中国农业大学应用物理系	10	32	4.0	5.0
3	周梅	中国农业大学应用物理系	22	69	5.0	7.0