GaN肖特基紫外探测器的电流输运研究

• 作者: 李建功 李福宾 林硕 沈晓明
• 来源期刊: 广西科学
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 肖特基 紫外探测器 电流输运
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 页码范围: 158-160
• 页数: 3页
• 分类号: O47|TL814
• 字数: 2313字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9164.2009.02.016

摘要

为了探明GaN肖特基紫外探测器漏电流问题,提高探测器的性能,在已有的各种电流输运模型的基础上,把宽禁带的GaN基半导体材料(Eg>3.4eV)看作绝缘体,用空间电荷限制电流理论(SCLC)分析由金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长的金属-GaN肖特基紫外探测器样品的I-V和I-V-T曲线.结果表明,SCLC机制控制的电流成分占主导地位,对于两个转换电压V1、V2,在V＜V1的区域电流电压遵循欧姆定律,在V1＜V＜V2的区域遵循幂指数规律I∝Vm,在V＞V2的区域电流电压遵循SCLC平方率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈晓明	广西大学物理科学与工程技术学院	17	54	5.0	6.0
2	林硕	广西大学物理科学与工程技术学院	6	12	3.0	3.0
3	李福宾	广西大学物理科学与工程技术学院	1	3	1.0	1.0
4	李建功	广西大学物理科学与工程技术学院	1	3	1.0	1.0