背照射和正照射p-i-n结构GaN紫外探测器的i-GaN和p-GaN厚度设计

• 作者: 周梅 李春燕 赵德刚
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN p-i-n结构 紫外探测器 量子效率
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1034-1040
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 5974字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153609.1034

摘要

研究了i-GaN和p-GaN厚度对背照射和正照射p-i-n结构GaN紫外探测器响应光谱的影响。模拟计算发现：对于背照射结构,适当地减小i-GaN厚度有利于提高探测器的响应,降低i-GaN层的本底载流子浓度也有利于提高探测器的响应；p-GaN的欧姆接触特性好坏对探测器的响应影响不大,适当地增加p-GaN厚度可以改善探测器性能。而正照射结构则不同,i-GaN厚度对探测器的响应度影响不大,但欧姆接触特性差将严重降低探测器的响应,适当地减小p-GaN厚度可以大幅度改善探测器的响应特性。能带结构和入射光吸收的差别导致了正照射和背照射探测器结构中i层和p层厚度的选择和设计不同。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵德刚	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	42	214	9.0	12.0
2	李春燕	中国农业大学理学院应用物理系	20	57	4.0	7.0
3	周梅	中国农业大学理学院应用物理系	22	69	5.0	7.0