器件参数对GaN基n+-GaN/i-AlxGa1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响

• 作者: 刘宗顺 吴亮亮 张书明 朱建军 梁骏吾 江德生 赵德刚 邓懿
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 紫外和红外探测器 量子效率
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 8903-8909
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

研究了AlGaN层参数对GaN基n+-GaN/i-AlxGa1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响规律及物理机制.模拟计算发现:降低AlGaN层本底载流子浓度会增加器件的量子效率,当本底载流子浓度不能进一步降低时,可以通过减小AlGaN层的厚度以保证器件的量子效率.在材料生长和器件工艺过程中都应减少界面态.外加较小的反向偏压能大幅度提高紫外量子效率,分析表明,GaN/AlGaN/GaN形成的两个背靠背、方向相反的异质结电场是出现这些现象的根本原因.在实际器件设计中,应该根据需要调节各结构参数,以保证器件的量子效率.