退火参数对p型GaAs欧姆接触性能的影响

• 作者: 吴涛 周旻超 张丽芳 江先锋 郭栓银
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: p型砷化镓 欧姆接触 磁控溅射 Ti/Pt/Au 退火 圆形传输线模型 比接触电阻率
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 24-27
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.92
• 字数: 3059字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2013.04.007

摘要

采用磁控溅射的方法在p型GaAs衬底上沉积了Ti/Pt/Au金属薄膜,研究了退火工艺参数(温度和时间)对p-GaAs/Ti/Pt/Au欧姆接触性能的影响.结果表明:p-GaAs上制作的Ti/Pt/Au金属系统能在很短的退火时间(60s)内形成很好的欧姆接触.过分延长退火时间,并不能改善系统的欧姆接触性能.退火温度在400～450℃时均可得到较好的欧姆接触.当退火温度为420℃,退火时间为120s时,比接触电阻率达到最低,为1.41×10-6Q· cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张丽芳	中国科学院苏州生物医学工程技术研究所半导体光电子技术研究室	26	154	7.0	11.0
2	吴涛	中国科学院苏州生物医学工程技术研究所半导体光电子技术研究室	51	364	9.0	17.0
3	江先锋	中国科学院苏州生物医学工程技术研究所半导体光电子技术研究室	4	9	2.0	3.0
4	周旻超	中国科学院苏州生物医学工程技术研究所半导体光电子技术研究室	2	4	1.0	2.0
5	郭栓银	中国科学院苏州生物医学工程技术研究所半导体光电子技术研究室	6	13	3.0	3.0