热退火处理对AuGeNi/n-AlGaInP欧姆接触性能的影响

• 作者: 吴小明 李树强 江风益 王苏杰 陈芳
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: AlGaInP 欧姆接触 退火工艺 发光二极管
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 278-285
• 页数: 8页
• 字数: 4256字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.69.20191720

摘要

本文在n-(Al0.27Ga0.73)0.5In0.5P表面通过电子束蒸发Ni/Au/Ge/Ni/Au叠层金属并优化退火工艺成功制备了具有较低接触电阻的欧姆接触,其比接触电阻率在445℃退火600 s时达到1.4×10–4Ω·cm2.二次离子质谱仪测试表明,叠层金属Ni/Au/Ge/Ni/Au与n-AlGaInP界面发生固相反应,Ga,In原子由于热分解发生外扩散并在晶格中留下Ⅲ族空位.本文把欧姆接触形成的原因归结为Ge原子内扩散占据Ga空位和In空位作为施主提高N型掺杂浓度.优化退火工艺对低掺杂浓度n-(Al0.27Ga0.73)0.5In0.5P的欧姆接触性能有显著改善效果,但随着n-(Al0.27Ga0.73)0.5In0.5P掺杂浓度提高,比接触电阻率与退火工艺没有明显关系.本文为n面出光的AlGaInP薄膜发光二极管芯片的n电极制备提供了一种新的方法,有望大幅简化制备工艺,降低制造成本.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江风益	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	60	527	12.0	19.0
2	吴小明	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	6	5	1.0	2.0
3	陈芳	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	13	144	7.0	12.0
4	王苏杰	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	1	0	0.0	0.0
5	李树强	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	1	0	0.0	0.0