Ni含量对PHEMT欧姆接触的影响

• 作者: 崔玉兴 张书敬 杨克武 杨瑞霞
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: AuGeNi/Au 砷化镓 欧姆接触
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 页码范围: 1539-1541
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.93
• 字数: 2434字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.05.004

摘要

研究了AuGeNi/Au金属系统中 Ni含量对n-GaAs欧姆接触的影响,用传输线法对接触电阻进行了测试,在原子力显微镜观测了合金表面形貌,测试了高温存储后接触电阻的变化.结果表明:Ni含量占AuGe的8%wt左右,Ge与Ni的厚度比在1.6:1左右时,可以得到相对比较好的欧姆接触.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学信息工程学院	180	759	13.0	18.0
2	杨克武	中国电子科技集团公司第十三研究所	26	186	6.0	13.0
3	张书敬	河北工业大学信息工程学院	6	39	4.0	6.0
7	崔玉兴	中国电子科技集团公司第十三研究所	30	88	6.0	8.0