n型和p型4H-SiC的二级喇曼谱

• 作者: 孙国胜 张永新 曾一平 李晋闽 王雷 赵万顺 高欣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 4H-SiC 二级喇曼谱 截止频率
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1555-1560
• 页数: 6页
• 分类号: O472.3
• 字数: 3144字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.12.002

摘要

给出了n型和p型4H-SiC的二级喇曼谱的实验结果.指认了所观察到的一些光谱结构对应的特定声子支及其在布里渊区中相应的对称点.发现在4H-SiC的二级喇曼谱中存在能量差约为10cm-1 的双谱线结构,这一结构与六方相GaN,ZnO和AlN的双谱线结构具有相同的能量差.二级喇曼谱的截止频率对于不同掺杂情况的4H-SiC具有相同的值.它并不等于n型掺杂4H-SiC的A1(LO)声子的倍频,而是等于未掺杂样品的A1(LO)声子的倍频.掺杂类型和杂质浓度对4H-SiC的二级喇曼谱几乎没有影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晋闽	中国科学院半导体研究所新材料实验室	75	652	13.0	23.0
2	孙国胜	中国科学院半导体研究所新材料实验室	28	244	9.0	15.0
3	王雷	中国科学院半导体研究所新材料实验室	192	2018	26.0	36.0
4	赵万顺	中国科学院半导体研究所新材料实验室	17	77	5.0	8.0
5	曾一平	中国科学院半导体研究所新材料实验室	85	439	11.0	16.0
6	高欣	中国科学院半导体研究所新材料实验室	46	202	9.0	12.0
7	张永新	兰州大学物理学院	1	1	1.0	1.0