n-SiC的电子拉曼散射及二级拉曼谱研究

• 作者: 杨银堂 柴常春 韩茹
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅 电子拉曼散射 轨道能谷分裂 倍频谱
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3182-3187
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3829字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.089

摘要

研究了利用离子注入法得到的掺氮n-SiC拉曼光谱.理论线形分析表明,与4H-SiC相比,6H-SiC中LO声子等离子体激元耦合模(LOPC模)拉曼位移随自由载流子浓度变化较小.514.5nm激发光下得到的电子拉曼散射光谱表明,k位处由1s(A1)到1s(E)的能谷轨道跃迁带来的拉曼谱6H-SiC中有四条,4H-SiC中有二条;高频630.3及635cm-1处观察到的谱线被认为与深能级缺陷有关.最后,利用纤锌矿型结构二级拉曼散射选择定则指认了6H-及4H-SiC二级拉曼谱.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	韩茹	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	7	33	5.0	5.0
3	柴常春	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	80	592	15.0	19.0