n-SiC拉曼散射光谱的温度特性

• 作者: 杨银堂 樊晓桠 韩茹
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅 温度 纵光学声子等离子体激元耦合模 电子拉曼散射
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 4261-4266
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

测量了采用离子注入法得到掺N的n-Sic晶体从100-450 K的拉曼光谱.研究了SiC一级拉曼谱、电子拉曼散射谱及二级拉曼谱的温度效应.实验结果表明,大部分SiC一级拉曼峰会随温度升高向低波数方向移动,但声学模红移(峰值位置向低频方向移动)的幅度较光学模小.重掺杂4H-SiC的纵光学声子等离子体激元耦合(LOPC)模频率随温度升高表现出先蓝移(峰值位置向高频方向移动)后红移的变化趋势,表明LOPC模的温度特性不仅会受到非简谐效应的影响,还与实际已离化杂质浓度有关.电子拉曼散射峰线宽随温度升高而增大,强度随温度升高而减弱,但其峰值位置基本不变.二级拉曼谱的红移不如一级拉曼谱明显,但其峰值强度却随着温度的升高显示出明显下降的趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院	420	2932	23.0	32.0
2	樊晓桠	西北工业大学计算机学院航空微电子中心	170	1393	17.0	29.0
3	韩茹	西北工业大学计算机学院航空微电子中心	4	22	3.0	4.0