p型突出屏蔽区4H-SiC UMOSFET结构仿真研究

• 作者: 李志远 马亚超
• 来源期刊: 哈尔滨商业大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC UMOSFET 击穿电压 导通电阻 反向恢复电荷
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 能源与机械工程
• 页码范围: 711-714,719
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2555字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-0946.2018.06.016

摘要

研究了一种新型4H-SiC U型槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管(UMOSFETs)结构.该结构中的p-body区下方有一p型突出屏蔽区.在关态下,该p型突出屏蔽区能够有效的保护栅氧化层,降低栅氧电场,提高击穿电压.在开态下,该p型屏蔽区并没有对器件的电流产生阻碍作用,并没有带来JFET电阻效应,能够有效的降低器件导通电阻.此外,该结构表面还集成了polySi/SiC异质结二极管,降低了器件的反向恢复电荷,从而改善器件的反向恢复特性.仿真结果显示,与p+-SiC屏蔽区UMOSFET结构比较,该新结构的特征导通电阻降低了53.8％,反向恢复电荷减小了57.1％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志远	哈尔滨工程大学信息与通信工程学院	8	37	2.0	6.0
2	马亚超	哈尔滨工程大学信息与通信工程学院	2	0	0.0	0.0