3C-SiC单晶薄膜的干法刻蚀研究

• 作者: 姬慧莲 李跃进 杨银堂 柴常春
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体刻蚀 SiC薄膜 刻蚀速率
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 100-104
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.24|TN405.98
• 字数: 3031字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2001.01.024

摘要

以四氟化碳(CF4)和CF4+O2作为刻蚀气体，对外延3C-SiC单晶薄膜进行了系统的等离子体刻蚀研究．结果表明薄膜刻蚀速率在气体流量一定的情况下与O2/CF4流量比有关：当O2/CF4流量比为40％左右时，刻蚀速率达到最大值；O2/CF4流量比低于40％时，不仅刻蚀速率降低而且还在被刻蚀样品表面形成暗表面层，俄歇能谱(AES)分析表明暗层为富C表面的残余SiC，AES分析还证实改变工艺条件可以消除富C表面．文中还给出了经图形刻蚀后的样品的表面形貌(SEM)照片．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所	420	2932	23.0	32.0
2	李跃进	西安电子科技大学微电子研究所	70	432	11.0	17.0
3	柴常春	西安电子科技大学微电子研究所	80	592	15.0	19.0
4	姬慧莲	西安电子科技大学微电子研究所	6	15	3.0	3.0