干法刻蚀工艺对 TFT-LCD Flicker 改善的研究

• 作者: 卞丽丽 吴成龙 李鑫 贠向南 陈曦
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 干法刻蚀 TFT 特性 闪烁改善
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 材料物理和化学
• 页码范围: 904-908
• 页数: 5页
• 分类号: TN141.9
• 字数: 2103字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20153006.0904

摘要

为了对 TFT-LCD 中的闪烁不良进行改善,本文通过研究 TFT-LCD 中干法刻蚀(Nplus Etch)对 TFT 特性的影响,以此对刻蚀条件(Power、Gas)进行优化,达到降低 Photo-Iof 的目的。实验结果表明,当干法刻蚀主工艺条件为：Source/Bias=4 k/5 k、Press=90 mT、SF6/O2=1.1 k/3 kml/min,AT Step 条件为：Source/Bias=2 k/2 k、Press=100 mT、SF6/O2=3 k/3 kmL/min 时,Photo-Iof 由量产最初的58.15降至20.52,闪烁由15%~30%降至10%以下。干法刻蚀工艺条件的优化对 TFT 特性以及闪烁有明显改善效果。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈曦		3	7	1.0	2.0
2	贠向南		2	7	1.0	2.0
3	李鑫		1	6	1.0	1.0
4	卞丽丽		1	6	1.0	1.0
5	吴成龙		1	6	1.0	1.0