过孔的不同干法刻蚀工艺对TFT-LCD性能的影响研究

• 作者: 刘华锋 李淳东 李知勋 陈兵 霍晓迪
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 干法刻蚀 侧面接触方式 过孔 液晶面板 低温多晶硅技术
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 58-61
• 页数: 4页
• 分类号: TN141.9
• 字数: 1694字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20163101.0058

摘要

为了改善过孔的干法刻蚀中刻蚀率的不同导致SD线和P-Si接触面积不一致的问题,同时解决ELA工艺导致P-Si表面突起而造成SD与P-Si点状接触的问题,探究了过孔的不同干法刻蚀工艺对TFT-LCD性能的影响,从中找出最佳的过孔干法刻蚀工艺.利用京东方产线设备制备了两种不同的LTPS阵列样品,样品一的过孔工艺采用传统的底部接触方式,样品二采用新的侧面接触方式,样品一和样品二其余的工艺过程一致.实验结果表明:多点的U-I曲线由发散变为集聚,电子迁移率有所提高;SEM数据表明采用侧面接触方式能够完全将P-Si刻穿.采用侧面接触方式能够明显的解决干法刻蚀中刻蚀率的不同导致SD线和P-Si接触面积不一致的问题,同时避免了ELA工艺导致P-Si表面突起而造成SD与P-Si点状接触的问题,电学性能有所改善,同时减少了工艺时间,提高了产能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	霍晓迪		1	3	1.0	1.0
2	陈兵		1	3	1.0	1.0
3	李知勋		1	3	1.0	1.0
4	李淳东		1	3	1.0	1.0
5	刘华锋		1	3	1.0	1.0