等离子体刻蚀中工艺参数对刻蚀速率影响的研究

• 作者: 庞宣明 杨培林 袁丛清 陈晓南
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 感应耦合等离子体 干法刻蚀 硅
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 研究简讯
• 页码范围: 546-547
• 页数: 2页
• 分类号: TP205
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-987X.2004.05.026

摘要

用实验方法研究了在感应耦合等离子体(ICP)的干法刻蚀过程中,工艺参数对刻蚀速率的影响.研究结果表明,刻蚀速率随SF6气体流量、自偏压以及射频功率的增大而增大,但当SF6气体流量、自偏压达到一定值后,刻蚀速率开始降低.实验中对工艺参数进行了优化,在射频功率为500 W、自偏压为150 V、流量为50 cm3/s,以及SiO2和Si3N4的选择比为15的条件下,硅的刻蚀速率达到了0.80 μm/min.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨培林	西安交通大学机械工程学院	33	455	12.0	20.0
2	陈晓南	西安交通大学机械工程学院	19	329	11.0	18.0
3	袁丛清	西安交通大学机械工程学院	3	63	3.0	3.0
4	庞宣明	西安交通大学机械工程学院	11	184	8.0	11.0