等离子体刻蚀中边缘离子轨迹的控制与优化

• 作者: Hiroshi Iizuka 严利均 倪图强 刘身健 张兴 李国荣 赵馗
• 来源期刊: 北京大学学报（自然科学版）
• 关键词: 等离子体刻蚀 3D NAND 离子运动轨迹 边缘阻抗 刻蚀均匀性
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1002-1006
• 页数: 5页
• 字数: 2003字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13209/j.0479-8023.2019.066

摘要

由于常规等离子体刻蚀系统在晶圆边缘处的阻抗与晶圆中心处的阻抗不一致,使离子在晶圆边缘处的运动轨迹发生偏移,很难满足越来越高的刻蚀工艺均匀性及深宽比的要求.本文提出一种通过调整晶圆边缘阻抗进行边缘离子运动方向优化的方法,可以连续实时地调整边缘离子的运动轨迹,实现对边缘离子运动方向的控制.研究结果表明,离子的运动方向可以被优化为垂直于晶圆表面,从而能获得良好的刻蚀速率均匀性及垂直的刻蚀形貌.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张兴	北京大学软件与微电子学院	120	618	12.0	20.0
2	李国荣	北京大学软件与微电子学院	2	1	1.0	1.0
6	赵馗		1	0	0.0	0.0
7	严利均		1	0	0.0	0.0
8	Hiroshi Iizuka		1	0	0.0	0.0
9	刘身健		1	0	0.0	0.0
10	倪图强		2	0	0.0	0.0