PZY铁电薄膜材料的ECR等离子体刻蚀研究

• 作者: 娄利飞 李跃进 杨银堂 汪家友 肖斌
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 电子回旋共振 等离子体刻蚀 锆钛酸铅 凝胶-溶胶工艺
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 页码范围: 555-558,598
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2986字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2005.04.015

摘要

以SF6和SF6+Ar为刻蚀气体,采用电子回旋共振等离子体刻蚀工艺成功地对溶胶-凝胶工艺制备的锆钛酸铅铁电薄膜进行了有效的刻蚀去除.研究了不同气体总流量、混合比、微波功率等因素对刻蚀速率的影响,指出当气体混合比约为20%时,刻蚀速率达到最大值.锆钛酸铅铁电薄膜表面组份xPS能谱分析曲线表明,在SF6和SF6+Ar气体中,被刻蚀后样品的Pb含量大大减少,TiO2的刻蚀是限制锆钛酸铅铁电薄膜刻蚀速率的主要因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪家友	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	31	267	11.0	15.0
2	杨银堂	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0
3	李跃进	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	70	432	11.0	17.0
4	娄利飞	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	13	72	6.0	8.0
5	肖斌	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	5	24	2.0	4.0