ECR等离子体刻蚀CVD金刚石膜的研究

• 作者: 吴俊 潘鑫 马志斌
• 来源期刊: 金刚石与磨料磨具工程
• 学科: 工学
• 关键词: ECR等离子体 CVD金刚石膜 刻蚀 基片温度 工作气压 磁场位形
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 页码范围: 23-25,30
• 分类号: TQ164
• 语种: 中文

摘要

在自主设计的具有非对称磁镜场位形的ECR等离子体装置上进行CVD金刚石膜的刻蚀实验,研究了基片温度、工作气压和磁场位形三个工艺参数对刻蚀效果的影响.实验结果表明:通过此方法刻蚀的CVD金刚石膜,其晶粒顶端被优先刻蚀,表面粗糙度降低.实际数据显示,刻蚀温度为20℃和150℃时,后者的刻蚀效果更好；工作气压为2×10-3 Pa和3×10-2 Pa时,前者的刻蚀效果更好；磁场强度为0.2T和0.15T时,前者的刻蚀效果更强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马志斌	武汉工程大学材料科学与工程学院湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	58	189	7.0	10.0
2	吴俊	武汉工程大学材料科学与工程学院湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	5	18	2.0	4.0
3	潘鑫	武汉工程大学材料科学与工程学院湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	2	11	2.0	2.0