氧等离子体刻蚀CVD金刚石膜的影响机理

• 作者: 付秋明 曹为 李国伟 潘鑫 王传新 马志斌
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 刻蚀 CVD金刚石 等离子体参数 ECR等离子体
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 243-247
• 页数: 5页
• 分类号: TQ164|O484
• 字数: 3695字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201426.074001

摘要

采用电子回旋共振(ECR)等离子体在不同的磁场位形和工作气压下刻蚀化学气相沉积(CVD)金刚石膜,运用双探针和离子灵敏探针法对等离子体进行了诊断,研究了等离子体参数对刻蚀效果的影响.结果表明:磁场由发散场向收敛场转变时,离子温度、电子温度和等离子体密度都随之增大,刻蚀效果逐渐增强;当工作气压由低气压向高气压变化时,等离子体参数先增大后减小,CVD金刚石膜表面粗糙度降低程度也出现了相同的趋势.