多晶硅的ECR等离子体刻蚀

• 作者: 汪建华 陈永生
• 来源期刊: 武汉化工学院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电子回旋共振 刻蚀 多晶硅
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 64-68
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2818字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-2869.2003.01.019

摘要

报道了用CF4作工作气体的ECR刻蚀poly-Si技术,研究了微波功率、气体流量、气压和射频偏置功率对刻蚀速率的影响,并对实验结果进行了讨论.实验中微波等离子体功率范围在100～500 W,CF4气体流量在10～50 cm3/min(标准状态下)范围,气压在0.25～2.5 Pa范围,射频偏置功率在0～300 W范围,对应的刻蚀速率为10.4～46.2 nm/min.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪建华	武汉化工学院等离子体化学与新材料重点实验室	57	613	12.0	20.0
2	陈永生	武汉化工学院等离子体化学与新材料重点实验室	2	16	2.0	2.0