Cl2/Ar感应耦合等离子体刻蚀Si工艺研究

• 作者: 周弘毅 郭帅 郭霞 陈树华
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 感应耦合等离子体 硅 Cl2/Ar 离子辅助刻蚀
• 年，卷（期）: 2012,（9）
• 所属期刊栏目: 光电·材料
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TN405.98
• 字数: 2990字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2012.09.001

摘要

采用Cl2/Ar感应耦合等离子体（ICP）对单晶硅进行了刻蚀，工艺中用光刻胶作掩膜。研究了气体组分、ICP功率和RF功率等工艺参数对硅刻蚀速率和硅与光刻胶刻蚀选择比的影响，同时还研究了不同工艺条件对侧壁形貌的影响。结果表明，由于物理刻蚀机制和化学刻蚀机制的相对强度受到混合气体中Cl2和Ar比例的影响，硅刻蚀速率随着Ar组分的增加而降低，同时选择比也随之降低。硅刻蚀速率随着ICP功率的增大先增大继而减小，选择比则成上升趋势。硅刻蚀速率和选择比均随RF功率的增大单调增大。在Cl2/Ar混合气体的刻蚀过程中，离子辅助溅射是决定硅刻蚀效果的重要因素。同时，文中还研究分析了刻蚀工艺对于微槽效应和刻蚀侧壁形貌的影响，结果表明，通过提高ICP功率可以有效减小微槽和平滑侧壁。进一步研究了SiO2掩膜下，压强改变对于硅刻蚀形貌的影响，发现通过降低压强，可以明显地抑制杂草的产生。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭霞	北京工业大学电子信息与控制工程学院	54	397	11.0	16.0
2	周弘毅	北京工业大学电子信息与控制工程学院	4	22	3.0	4.0
3	陈树华	北京工业大学电子信息与控制工程学院	2	14	2.0	2.0
4	郭帅	北京工业大学电子信息与控制工程学院	1	6	1.0	1.0