感应耦合等离子体刻蚀InSb时偏压射频源功率的选取

• 作者: 司俊杰 张国栋 王理文
• 来源期刊: 航空兵器
• 学科: 工学
• 关键词: 感应耦合等离子体 反应离子刻蚀 刻蚀速率 刻蚀选择比 偏压射频源功率
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: ·工艺与材料技术·
• 页码范围: 62-64
• 页数: 3页
• 分类号: TN364
• 字数: 2223字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5048.2012.04.016

摘要

以CH4／H2／Ar为刻蚀气体，对带有SiO2掩膜图形的N型InSb晶片进行了感应耦合等离子体（ICP，inductivelycoupledplasma）刻蚀。研究了不同偏压射频源（RF）功率对InSb的刻蚀速率、刻蚀表面粗糙度以及InSb与SiO2的刻蚀选择比的影响，得到了ICP刻蚀InSb时的一个优选的偏压射频源功率值。结果表明：当偏压射频源功率为150W，ICP功率为800W，反应室压力为1．0Pa，CH4／H2／Ar的体积流量比为3／10／1时，InSb的刻蚀速率可达90nm／min，刻蚀表面的平均粗糙度（Ha）约为6．1nm，InSb与Si0：的刻蚀选择比约为6。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王理文		1	4	1.0	1.0
2	司俊杰		33	160	7.0	11.0
3	张国栋		10	49	5.0	6.0