InSb的电感耦合等离子体刻蚀技术研究

• 作者: 张国栋 徐淑丽
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 干法刻蚀 电感耦合等离子体(ICP) InSb 刻蚀速率
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 151-154
• 分类号: TN304.2+3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2012.03.005

摘要

随着InSb红外焦平面探测器的发展,焦平面阵列规模越来越大,像元面积越来越小.湿法刻蚀因其各向同性的特点,导致像元钻蚀严重,越来越难满足大规格InSb焦平面器件的要求.研究了以Ar/CH4/H2作为刻蚀气体,利用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀大规格InSb晶片的初步研究结果,研究不同RF功率、腔体压力和Ar的含量对刻蚀速率、表面形貌的影响及InSb表面残留聚合物的去除方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国栋	中国空空导弹研究院光电器件研究所	10	49	5.0	6.0
2	徐淑丽	中国空空导弹研究院光电器件研究所	3	11	2.0	3.0