电感耦合等离子体刻蚀InSb芯片工艺的研究

• 作者: 张向锋 张国栋 朱炳金
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: InSb焦平面阵列 各向同性 表面形貌 电感耦合等离子体(ICP)
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 467-470
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 1616字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.08.008

摘要

随着InSb红外焦平面阵列探测器的发展,焦平面阵列规模不断增大,像元面积越来越小.湿法刻蚀因为其各向同性刻蚀的特点,导致像元的钻蚀严重,已经难以满足大规格InSb焦平面器件的要求.采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀大规格InSb阵列芯片,研究不同腔体压力对刻蚀速率、表面形貌的影响及InSb表面残留聚合物的去除方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国栋	中国空空导弹研究院光电器件研究所	10	49	5.0	6.0
2	张向锋	中国空空导弹研究院光电器件研究所	9	19	3.0	3.0
3	朱炳金	中国空空导弹研究院光电器件研究所	3	20	3.0	3.0