感应耦合等离子体刻蚀机二维放电模拟

• 作者: 朱煜 汪劲松 程嘉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 干法腐蚀工艺 感应耦合等离子体 电子数密度 电子温度
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 989-994
• 页数: 6页
• 分类号: TN405.98
• 字数: 3714字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.06.033

摘要

为研究感应耦合等离子体(ICP)刻蚀机腔室与线圈结构以及工艺参数对等离子体分布均匀性的影响,基于商业软件CFD-ACE+中等离子体与电磁场等模块建立了ICP刻蚀机二维放电模型.仿真研究了典型工艺条件(1.33Pa,200W,200sccm)下氩等离子体电子温度与电子数密度的空间分布,对比了不同气压与功率条件下等离子体参数在硅片表面的一维分布.结果表明,电子数密度随气压与功率的增加而升高;电子温度随气压的增加而降低,随功率增加在较小范围内先降低再升高.通过分析屏蔽板对等离子体参数的影响,发现其有助于提高等离子体密度.进而发现屏蔽板的孔隙率越大,电子温度越高,电子数密度则越低.