排气方式及工艺参数对等离子体刻蚀a-Si 均一性的影响

• 作者: 夏庆峰 张立祥 王尤海 王海涛
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体刻蚀 a-Si 均一性 排气方式
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: ?材料与器件?
• 页码范围: 1112-1117
• 页数: 6页
• 分类号: TP394.1|TH691.9
• 字数: 2710字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20163112.1112

摘要

本文对在等离子体刻蚀工艺中,功率、压强、气体比例重要参数对 a-Si 刻蚀均一性的影响进行了研究。采用PECVD 成膜、RIE 等离子体刻蚀,并通过台阶仪和光谱膜厚测定仪对膜厚进行表征。结果表明压强在10~15 Pa,功率在5500~6500 W 的参数区间,a-Si 刻蚀均一性波动不大,适合工业化生产。a-Si 刻蚀速率及刻蚀均一性对气体比例较为敏感,SF6∶HCl＝800∶2800 mL/min 时 a-Si 刻蚀均一性为最佳。四角排气方式对维持等离子体浓度作用明显,有利于刻蚀均一性的提升。四周排气方式会破坏等离子体浓度进而破坏 a-Si 刻蚀的均一性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张立祥		1	0	0.0	0.0
2	王海涛		1	0	0.0	0.0
3	王尤海		1	0	0.0	0.0
4	夏庆峰		1	0	0.0	0.0