氮化硅等离子体刻蚀工艺研究

• 作者: 向鹏飞 唐代飞 曲鹏程 袁安波
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅 二氧化硅 等离子体刻蚀 选择比
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 电子·电路
• 页码范围: 153-155
• 页数: 3页
• 分类号: TN405.98+2
• 字数: 2571字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2017.08.042

摘要

针对氮化硅刻蚀工艺中硅衬底刻蚀损伤的问题.为了提高氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比,采用CF4,CH3F和O2这3种混合气体刻蚀氮化硅,通过调整气体流量比、腔内压强及功率,研究其对氮化硅刻蚀速率、二氧化硅刻蚀速率及氮化硅对二氧化硅选择比等主要刻蚀参数的影响.实验表明,在CH,F流量为25,O2流量为40 sccm,腔内压强为67Pa,功率为150 W的条件下,得到氮化硅对二氧化硅选择比为15∶1,非均匀性3.87％的氮化硅刻蚀工艺.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁安波	重庆光电技术研究所工艺中心	9	11	2.0	3.0
2	向鹏飞	重庆光电技术研究所工艺中心	11	16	2.0	3.0
3	唐代飞	重庆光电技术研究所工艺中心	3	6	2.0	2.0
4	曲鹏程	重庆光电技术研究所工艺中心	3	3	1.0	1.0