GaAs/AlGaAs多层膜刻蚀的陡直度

• 作者: 吴卫东 唐永建 王雪敏 罗跃川 韩尚君
• 来源期刊: 信息与电子工程
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs/AlGaAs多层膜 湿法刻蚀 感应耦合等离子体刻蚀 陡直度
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 太赫兹光子学与光电子学
• 页码范围: 347-350
• 分类号: TN405.98
• 字数: 3670字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-2892.2011.03.020

摘要

GaAs/AlGaAs多层膜的陡直度较大程度地关系到其实际应用效果,但在实际加工中较难控制,因此有必要研究刻蚀过程中一些主要因素对其陡直度的影响.结合具体工作情况,用AZ1500光刻胶作为掩模,GaAs/Al0.15Ga0.85As多层膜为刻蚀材料,分别使用湿法和干法对其进行刻蚀.湿法刻蚀的刻蚀剂为H3PO4+H2O2溶液,干法刻蚀采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀法,等离子体由Cl2+BCl3(蒸汽)混合气体电离形成.通过控制变量方法,发现湿法刻蚀中刻蚀剂配比和温度以及干法刻蚀中BCl3(蒸汽)流量对刻蚀陡直度的影响规律.由此得出,提高H3PO4所占比例和降低刻蚀温度虽然会降低刻蚀速率,但可以提高多层膜的陡直度;ICP刻蚀的陡直度优于湿法刻蚀,BCl3(蒸汽)的流量在一定范围内对刻蚀陡直度的影响较小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐永建	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	281	2334	24.0	31.0
2	韩尚君	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	9	29	4.0	5.0
3	吴卫东	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	140	1087	18.0	26.0
4	王雪敏	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	16	26	4.0	5.0
5	罗跃川	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	3	16	3.0	3.0