GaAs/AlGaAs薄膜压阻特性研究

• 作者: 刘国文 李秋柱 谭振新
• 来源期刊: 中北大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs/AlGaAs 薄膜 压阻特性 微加速度计 应变因子
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 291-294
• 分类号: TM390.2
• 字数: 1783字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-3193.2010.03.017

摘要

为了探索新的微机电转换方法,提出一种GaAs/AlGaAs压阻薄膜结构.该结构采用分子束外延生长技术(MBE),在半绝缘GaAs衬底(001)方向上生长GaAs/Al0.4Ga0.6As半导体薄膜制备而成.利用表面微机械工艺和体微机械工艺,加工制作了基于GaAs/Al0.4Ga0.6As压敏电阻条的加速度计结构,室温条件下利用拉曼光谱仪测试系统测试了悬臂梁上压阻薄膜的应变因子.研究了该薄膜结构的压阻效应,得到Al0.4Ga0.6As的应变因子可达70,相当于AlN-GaN超晶格结构压阻的值,有望应用于新的微机械力电耦合器件中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李秋柱	中北大学电子测试技术国家重点实验室	2	17	1.0	2.0
2	刘国文	中北大学电子测试技术国家重点实验室	2	2	1.0	1.0
3	谭振新	中北大学电子测试技术国家重点实验室	3	7	2.0	2.0