阵列式薄膜锰铜计的动态压阻响应研究

• 作者: 周鸿仁 崔红玲 杜晓松 杨邦朝 滕林
• 来源期刊: 高压物理学报
• 关键词: 锰铜薄膜 压阻系数 阵列式 热处理
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 279-282
• 页数: 4页
• 分类号: O521.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5773.2004.03.014

摘要

利用直流磁控溅射薄膜工艺制备阵列式薄膜锰铜压阻计,以氧化铝作为基片和绝缘封装材料.在结构上,4个具有相同阻值的薄膜锰铜计在同一氧化铝基片上呈对称分布.51.72 GPa压力下的动态加载实验表明,4个计的压阻一致性好,无高压旁路效应,验证了薄膜锰铜压阻计动态测试的准确性和可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜晓松	电子科技大学微电子与固体电子学院	61	434	12.0	16.0
2	杨邦朝	电子科技大学微电子与固体电子学院	253	3422	31.0	49.0
3	滕林	电子科技大学微电子与固体电子学院	16	88	5.0	9.0
4	周鸿仁	电子科技大学微电子与固体电子学院	12	60	5.0	7.0
5	崔红玲	电子科技大学微电子与固体电子学院	16	163	5.0	12.0