锰铜薄膜的制备及压阻特性

• 作者: 周鸿仁 杜晓松 杨邦朝 滕林
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 锰铜薄膜 X射线衍射 扫描电镜 压阻系数
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 3-5
• 页数: 3页
• 分类号: TM23
• 字数: 2667字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.09.002

摘要

为了锰铜传感器微型化,采用直流磁控溅射法制备适合高压力测量的锰铜薄膜,用X射线衍射和扫描电子显微镜技术分析了薄膜的结构和形貌,动态加载实验标定了锰铜薄膜的压阻系数.研究结果表明,晶粒尺寸决定了薄膜的压阻系数,经360℃热处理1 h后,薄膜晶粒长大,压阻系数有着明显提高(K值达到0.02 GPa-1),性能达到锰铜箔的水平.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜晓松	电子科技大学微电子与固体电子学院	61	434	12.0	16.0
2	杨邦朝	电子科技大学微电子与固体电子学院	253	3422	31.0	49.0
3	滕林	电子科技大学微电子与固体电子学院	16	88	5.0	9.0
4	周鸿仁	电子科技大学微电子与固体电子学院	12	60	5.0	7.0