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摘要:
利用低压金属有机化合物汽相淀积方法,以液态CCl4为掺杂源生长了高质量的碳掺杂GaAs/AlGaAs外延材料,研究了CCl4流量、生长温度和V/Ⅲ比等因素对外延材料中的碳掺杂水平的影响。采用电化学CV方法、范德堡霍耳方法、低温光致发光谱和X射线双晶衍射回摆曲线测量等方法对碳掺杂外延材料的电学、光学特性进行了研究。实验制备了空穴浓度高达1.9×1020cm-3的碳掺杂GaAs外延材料和低温光致发光谱半宽小于5nm的高质量碳掺杂Al03Ga0.7As外延层。在材料研究的基础上,我们以碳为P型掺杂剂生长了GaAs/A1GaAs/InGaAs应变量子阱980nm大功率半导体激光器结构,并获得了室温连续工作1W以上的光功率输出。
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MOCVD与MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的红外探测器特性比较*
GaAs/AlGaAs
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MBEPACC:0762
6865
6855
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固态源MBE系统生长高质量的调制掺杂GaAs结构材料和InP/InP外延材料的兼容性研究
兼容性
调制掺杂GaAs
InP/InP外延材料
高电子迁移率
分子束外延
固体磷源
高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长
GaN薄膜
MOCVD
同质外延
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 MOCVD生长的高质量掺碳GaAs/AlGaAs材料的特性研究
来源期刊 半导体学报 学科
关键词 GaAs/AlGaAs MOCVD 碳掺杂
年,卷(期) 2000,(1) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 44-50
页数 7页 分类号
字数 4508字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.01.009
五维指标
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研究主题发展历程
节点文献
GaAs/AlGaAs
MOCVD
碳掺杂
研究起点
研究来源
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研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
北京市自然科学基金
英文译名:Natural Science Foundation of Beijing Province
官方网址:http://210.76.125.39/zrjjh/zrjj/
项目类型:重大项目
学科类型:
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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