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MOCVD生长的高质量掺碳GaAs/AlGaAs材料的特性研究
MOCVD生长的高质量掺碳GaAs/AlGaAs材料的特性研究
作者:
廉鹏
徐遵图
曹青
殷涛
沈光地
邹德恕
陈建新
陈昌华
陈良惠
马骁宇
高国
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
GaAs/AlGaAs
MOCVD
碳掺杂
摘要:
利用低压金属有机化合物汽相淀积方法,以液态CCl4为掺杂源生长了高质量的碳掺杂GaAs/AlGaAs外延材料,研究了CCl4流量、生长温度和V/Ⅲ比等因素对外延材料中的碳掺杂水平的影响。采用电化学CV方法、范德堡霍耳方法、低温光致发光谱和X射线双晶衍射回摆曲线测量等方法对碳掺杂外延材料的电学、光学特性进行了研究。实验制备了空穴浓度高达1.9×1020cm-3的碳掺杂GaAs外延材料和低温光致发光谱半宽小于5nm的高质量碳掺杂Al03Ga0.7As外延层。在材料研究的基础上,我们以碳为P型掺杂剂生长了GaAs/A1GaAs/InGaAs应变量子阱980nm大功率半导体激光器结构,并获得了室温连续工作1W以上的光功率输出。
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GaAs/AlGaAs
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MOCVD
MBEPACC:0762
6865
6855
8115G
固态源MBE系统生长高质量的调制掺杂GaAs结构材料和InP/InP外延材料的兼容性研究
兼容性
调制掺杂GaAs
InP/InP外延材料
高电子迁移率
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固体磷源
高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长
GaN薄膜
MOCVD
同质外延
内容分析
文献信息
引文网络
相关学者/机构
相关基金
期刊文献
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
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(/年)
文献信息
篇名
MOCVD生长的高质量掺碳GaAs/AlGaAs材料的特性研究
来源期刊
半导体学报
学科
关键词
GaAs/AlGaAs
MOCVD
碳掺杂
年,卷(期)
2000,(1)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
44-50
页数
7页
分类号
字数
4508字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2000.01.009
五维指标
传播情况
被引次数趋势
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引文网络
引文网络
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共引文献
(0)
参考文献
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二级引证文献
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1991(2)
参考文献(2)
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GaAs/AlGaAs
MOCVD
碳掺杂
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研究来源
研究分支
研究去脉
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
北京市自然科学基金
英文译名:
Natural Science Foundation of Beijing Province
官方网址:
http://210.76.125.39/zrjjh/zrjj/
项目类型:
重大项目
学科类型:
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
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