GSMBE生长的高质量氮化镓材料

• 作者: 侯洵 刘宏新 刘成海 孙殿照 曾一平 李晋闽 林兰英 王军喜 王晓亮
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 分子束外延
• 年，卷（期）: 2000,（7）
• 所属期刊栏目: 技术进展
• 页码范围: 723-725
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 1975字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.07.018

摘要

使用NH3作氮源,采用GSMBE方法在(0001)Al2O3衬底上生长出了高质量的GaN单晶外延膜.1.2μm厚的GaN外延膜的(0002)X射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽为6',室温电子迁移率为300cm2/(V·s),背景电子浓度约为3×1017cm-3.