氮化镓材料中质子输运过程的模拟

• 作者: 张明兰 张晓倩 杨瑞霞 狄炤厅
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: GaN 质子 辐射 输运 缺陷
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 物理
• 页码范围: 648-651
• 分类号: TN304.1
• 语种: 中文

摘要

对入射能量为50 keV～3 MeV的质子在氮化镓(GaN)材料中的输运过程进行了Monte-Carlo模拟,得到垂直入射质子在GaN材料中的输运情况、质子与晶格原子作用产生的空位分布特征.模拟结果表明:在厚度固定(3.5μm)的GaN材料中,当人射能量小于300 keV时,质子束横向扩展明显,入射离子全部被阻止在材料中;随着入射能量增大,质子束横向扩展减弱,离子穿透几率增大,当能量大于500 keV时,入射离子几乎全部从材料中穿出.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张明兰	河北工业大学信息工程学院	11	23	3.0	4.0
3	杨瑞霞	河北工业大学信息工程学院	180	759	13.0	18.0
6	张晓倩	河北工业大学信息工程学院	1	3	1.0	1.0
7	狄炤厅	河北工业大学信息工程学院	1	3	1.0	1.0