质子在砷化镓材料中产生位移损伤的Geant4模拟

• 作者: 于庆奎 寇勃晨 李永宏 贺朝会 赵耀林
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 质子 砷化镓 位移损伤 Geant4
• 年，卷（期）: 2018,（10）
• 所属期刊栏目: 物理
• 页码范围: 1735-1739
• 页数: 5页
• 分类号: TL341
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2017.youxian.0636

摘要

本文使用Geant4模拟了1、5、10、20、50、100、500、1 000 MeV能量的质子入射GaAs的位移损伤情况.随入射质子能量的增大,产生的初级离位原子(PKA)数目增加、种类增多;PKA能谱分布总体上呈递减趋势,PKA在低能量区间所占份额降低,在高能量区间所占份额升高.研究结果表明,辐射缺陷浓度在质子入射方向上遵循布拉格规律.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贺朝会	西安交通大学核科学与技术学院	35	120	5.0	10.0
2	于庆奎		8	10	2.0	3.0
3	李永宏	西安交通大学核科学与技术学院	12	77	3.0	8.0
4	赵耀林	西安交通大学核科学与技术学院	8	16	2.0	3.0
5	寇勃晨	西安交通大学核科学与技术学院	1	0	0.0	0.0