Geant4模拟中子在碳化硅中产生的位移损伤

• 作者: 席建琦 张鹏 杨涛 臧航 贺朝会 郭达禧 马梨
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 中子 碳化硅 位移损伤 Geant4
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 1222-1228
• 页数: 7页
• 分类号: TL341
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2013.47.07.1222

摘要

利用Geant4模拟了中子在碳化硅中的输运过程,计算了不同能量中子产生的位移缺陷数目,获得了14.1 MeV中子产生的位移缺陷分布.研究了中子产生位移损伤过程的影响要素,分析了弹性散射与去弹过程对位移损伤产生过程的贡献,并对中子各阶段反应产生的位移缺陷分布及对总体缺陷分布的影响进行了探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹏	西安交通大学核科学与技术学院	121	797	12.0	24.0
2	杨涛	西安交通大学核科学与技术学院	24	108	7.0	9.0
3	郭达禧	西安交通大学核科学与技术学院	2	4	2.0	2.0
4	贺朝会	西安交通大学核科学与技术学院	35	120	5.0	10.0
5	臧航	西安交通大学核科学与技术学院	7	13	2.0	3.0
6	席建琦	西安交通大学核科学与技术学院	1	2	1.0	1.0
7	马梨	西安交通大学核科学与技术学院	1	2	1.0	1.0