InGaAs P器件质子位移损伤等效性研究

• 作者: 何宝平 刘敏波 唐本奇 姚志斌 王祖军 盛江坤 肖志刚 郭晓强 黄绍艳
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: InGaAsP NIEL 位移损伤 等效性
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 1701-1705
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2016.50.09.1701

摘要

对基于非电离能量损耗（NIEL ）的位移损伤等效性研究方法进行了讨论，计算了不同能量质子在InGaAsP材料中的NIEL。利用解析方法对库仑散射引起的NIEL进行了计算，分析了不同库仑散射模型的适用范围，并利用Monte‐Carlo方法对核反应引起的NIEL进行了计算。以InGaAsP多量子阱激光二极管为研究对象，开展了4、5和8 M eV质子辐照实验，获得了激光二极管的阈值电流损伤系数。研究结果表明：实验用不同能量质子辐射环境下的阈值电流损伤系数测试结果与 NIEL理论计算结果之间呈线性关系。